nnn Nnější polovodičová vrstva je vyrobena z amorfního křemíku (ansi). NSI tenký filmový tranzistorn-tekutý krystal display (tftnlcd) byl dominantní technologií pro výrobu aktivní matrice tftnlcd po dobu vícenež 20 let. NSI jenízkonákladový materiál v hojné dodávce. \\ S NSI jenízkýnákladový materiál v hojném dodávce. Mobilita elektronové mobility NSI je však velminízká (kolem 1 cm2nvs) anemůže fyzicky podpořit vysoké rychlé sazby, jako je 240Hz potřebná pro HDTV. Vzhledem ke své vysoké mobilitě elektronové mobility,nových materiálů, jako je oxid kovu (MO) anízkoteplotní polysilicon (LTP),nynínahrazují NSI k výrobě dvou hlavních typů obkladů: LCD a organické světlo Dioda (OLED) displejen Nnější polovodičová vrstva je vyrobena z amorfního křemíku (ansi). NSI tenký filmový tranzistorn-tekutý krystal display (tftnlcd) byl dominantní technologií pro výrobu aktivní matrice tftnlcd po dobu vícenež 20 let.n

nNour firma přijímá pokročilé výrobní a dodávané technologie pro výrobu vnitřního amorfního křemíku a venkovní amorfního křemíku po dlouhou dobu. Produkty se používají v mnoha oblastech, jako jsou hodinky, brýle, hračky, inteligentní domov a venkovní osvětlení. \\